Публикация от 7 ноября 2026

👌 Американские учёные создали полупроводник с рекордной шириной запрещённой зоны - больше семи электрон-вольт. Это превосходит предыдущий рекорд в 6 эВ и может повысить эффективность электромобилей, энергосетей и дата-центров. В основе: тонкие плёнки оксида алюминия-галлия на сапфировой подложке. Материал проводит ток как минимум в 100 миллионов раз лучше других полупроводников с такой широкой запрещённой зоной, а на его базе уже сделали диод и транзистор AlphaFET.